Домой Все обо всем Полумостовая схема на полевых транзисторах

Полумостовая схема на полевых транзисторах

53
0

Полумостовая схема на полевых транзисторах

При работе с полевыми транзисторами часто возникает необходимость управления током в нагрузке. Одним из эффективных способов достичь этого является использование мостовой схемы. В данной статье мы рассмотрим, как реализовать такую схему на полевых транзисторах.

Мостовая схема позволяет управлять током в нагрузке, независимо от напряжения питания. Это достигается за счет использования двух полевых транзисторов, подключенных параллельно и antiparallel (противоположно) друг к другу. Один транзистор управляет током в одну сторону, а другой — в противоположную.

Для реализации мостовой схемы на полевых транзисторах нам понадобятся два полевых транзистора с одинаковыми характеристиками, диод Шоттки или стабилитрон для защиты от переполюсовки, а также резистор для ограничения тока. Подключаем транзисторы параллельно и antiparallel друг к другу, а также подключаем защиту от переполюсовки и резистор ограничения тока.

Применение мостовой схемы на полевых транзисторах позволяет достичь высокой эффективности и надежности в управлении током в нагрузке. Такая схема идеально подходит для использования в источниках питания, усилителях мощности, а также в других устройствах, где требуется управление током в нагрузке.

Выбор полевых транзисторов для схемы

При выборе полевых транзисторов для схемы важно учитывать их тип и параметры. Для полумостовой схемы подходят n-канальные полевые транзисторы с логическим нулем. Рекомендуется использовать транзисторы с низким сопротивлением канала (Rds(on)) и высокой дренажной стойкостью (Idmax). Также обращайте внимание на максимальный ток стока (Idmax) и напряжение сток-исток (Vdss), чтобы они соответствовали требованиям схемы.

Примером подходящих транзисторов могут служить IRF530 или IRF9640 от International Rectifier. Они имеют низкое сопротивление канала (0.025 Ом и 0.008 Ом соответственно) и высокую дренажную стойкость (17 А и 20 А соответственно). Кроме того, они обладают высоким напряжением сток-исток (200 В и 100 В соответственно), что делает их подходящими для схем с высоким напряжением.

Также важно учитывать размеры транзисторов, чтобы они поместились на печатной плате. Обычно размеры транзисторов колеблются от SOT-23 до TO-220. При выборе транзисторов обращайте внимание на их цоколёвку, чтобы правильно подключить их к схеме.

Настройка параметров схемы для оптимальной работы

Также важно правильно выбрать сопротивление стока (Rs). Оно должно быть достаточно большим, чтобы ограничить ток стока и предотвратить перегрев транзисторов, но не настолько большим, чтобы вызвать значительные потери мощности. В качестве ориентира, можно использовать значение Rs, равное примерно 10-20 Ом.

Для настройки схемы также важно учитывать температурные характеристики транзисторов. Рекомендуется использовать радиаторы для охлаждения транзисторов, особенно если схема работает при высоких нагрузках или в условиях высокой температуры окружающей среды. Это поможет предотвратить перегрев транзисторов и продлить срок службы схемы.

Наконец, важно правильно выбрать напряжение питания схемы. Оно должно быть достаточно большим, чтобы обеспечить необходимую мощность и КПД, но не настолько большим, чтобы вызвать перегрузку транзисторов или другие проблемы. Рекомендуется использовать напряжение питания, близкое к максимальному допустимому значению для используемых транзисторов.

Рекомендации по настройке параметров схемы

При настройке параметров схемы на основе полевых транзисторов, важно учитывать следующие рекомендации:

  • Устанавливайте напряжение стока (Vds) на уровне, близком к максимальному допустимому значению для используемых транзисторов, но не превышающему его.
  • Выбирайте сопротивление стока (Rs) в диапазоне 10-20 Ом для ограничения тока стока и предотвращения перегрева транзисторов.
  • Используйте радиаторы для охлаждения транзисторов, особенно если схема работает при высоких нагрузках или в условиях высокой температуры окружающей среды.
  • Выбирайте напряжение питания, близкое к максимальному допустимому значению для используемых транзисторов, чтобы обеспечить необходимую мощность и КПД.

ОСТАВЬТЕ ОТВЕТ

Пожалуйста, введите ваш комментарий!
пожалуйста, введите ваше имя здесь